近年来，随着芯片重要性的提升，芯片研发速度不断加快。从7nm到5nm，现在芯片技术正在向3nm、1nm迈进。基于技术的快速升级，芯片市场上诞生了很多新产品，芯片的发展可谓日新月异。那么2021年上半年，全球芯片领域又出现了哪些值得关注的新产品和新技术呢？一起来盘点吧！新品：高通：骁龙4805G芯片。1月4日，芯片制造商高通推出了Snapdragon4805G芯片，为廉价的5G智能手机提供动力。据悉，骁龙480芯片采用三星8nm工艺打造，集成X515G调制解调器和射频系统，支持5G毫米波和Sub-6GHz网络。寒武纪：第一款AI训练芯片。1月21日，寒武纪正式发布首款人工智能训练芯片思源290和玄思1000智能加速器。该芯片采用台积电7nm制程工艺，集成460亿晶体管，支持MLUv02扩展架构，全面支持AI训练、推理或混合人工智能计算加速任务。日本：首款自动驾驶5nm芯片。据媒体2月5日报道，日企首款5nm芯片正式公布，由索喜（Socionext）自主研发，一家没有晶圆厂的纯设计公司。目前该芯片的具体架构尚未公布，据透露计划在2022年初出样，Socionext希望将该芯片用于汽车的自动驾驶。联发科：4K电视芯片MT9638。3月3日，联发科发布全新4K智能电视芯片MT9638，现已量产。据悉，MT9638集成独立AI处理器APU，支持AI超分辨率（AI-SR）、AI画质增强（AI-PQ）、AI语音助手等AI技术，还具备MEMC运动补偿功能。高通：骁龙780G5G移动平台。3月25日，高通宣布推出新一代5G芯片——骁龙780G5G移动平台（SM7350-AB）。据悉，其采用三星5nmLPE工艺打造，内置2个Kryo670Gold大核（基于ARMCortex-A78），主频2.4GHz，6个Kryo670Silver小核（Cortex-A55）)，主频为1.8GHz。AMD：7纳米芯片“米兰”。3月16日，AMD发布了第三代EPYC（霄龙）7003系列，代号“米兰”（Milan），是一款面向服务器市场的芯片。AMD表示其新的“Milan”服务器芯片比目前最好的数据中心芯片更快。小米：澎湃C1。3月31日，小米再次推出自研芯片——澎湃C1，这是小米首款专业影像芯片。据悉，ThePaperC1是一颗ISP芯片，即独立的手机影像芯片。采用自研ISP+自研算法，可以帮助手机进行更精细、更高级的3A处理。华为海思：麒麟990A芯片。4月，华为海思推出了一款新芯片——麒麟990A。据了解，麒麟990A采用华为自研的泰山架构，是一款车规级芯片。4月18日，B站知名爆料人公布了该芯片的详细规格。该芯片大核为泰山V120Lite，小核为Cortex-A55，GPU为MaliG76。Rockchip：两颗通用的快充协议芯片。4月22日，瑞芯微发布了两款全新的通用快充协议芯片，分别为RK835和RK837。RK835可以快速方便的接入各种电源芯片，支持18W-100W输出。RK837内部集成的Flash和RAM分别增加到64KB和2KB，还支持10万次以上的重复编程。H3C：知青600系列芯片。4月30日，紫光集团旗下新华三集团自主研发的高性能智能网络处理器“智擎”600系列网络处理器芯片正式亮相。该芯片采用16nm工艺，拥有256个处理核心，4096个硬件线程，共有180亿个晶体管。可广泛应用于路由器、交换机、安全/无线数据通信等领域。IBM：第一款2nmEUV芯片。5月6日，IBM宣布制造出首款采用2nm工艺的半导体芯片。核心指标方面，IBM表示2nm芯片的晶体管密度（MTr/mm2，每平方毫米有多少百万个晶体管）为333.33，几乎是台积电5nm工艺的两倍，也高于台积电5nm工艺的292.21MTr/mm2。外界预估的台积电3nm制程。要高大。地平线：征途5系列芯片。5月9日消息，地平线创始人余凯在朋友圈宣布，地平线第三代车规级产品——面向L4级高级别自动驾驶的高算力征途5系列芯片一次性流片成功！余凯透露，征途5系列芯片（J5）拥有200~1000T的算力，在保持低功耗的同时，拥有业界最高的FPS（FramePerSecond）性能。新技术：特斯拉、三星联手开发5nm芯片。1月26日，据韩媒报道，特斯拉与三星达成合作，双方将共同研发全新的5纳米芯片，用于全自动驾驶。同时有消息称，特斯拉新芯片有望在2021年第四季度进入量产，上海力争2021年实现12nm工艺量产。1月26日，2021上海两会上，上海发改委提交的一份报告显示，上海正在努力实现12纳米先进技术集成电路的大规模量产。据悉，这款12nm工艺应该是上海中芯华南在14nm工艺基础上改进的新工艺。台积电与苹果共同开发2nm芯片。据3月10日消息，台积电正在为苹果开发2nm工艺。据悉，两家公司正在努力进一步提高芯片效率，并在研发方面取得了多项突破。此前，苹果已经在其智能手机/笔记本电脑产品线中使用了5nm芯片组。中芯国际14nm良率赶超台积电。3月10日，选股宝爆料，从供应链获悉，中芯国际14nm制程工艺产品良率已经赶超同制程平台台积电，水平在90%-95%左右。同时，中芯国际各制程产能满载，部分成熟制程订单已排至2022年。电子科技大学推出MicroLED显示芯片。4月21日，电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室正式发布全球首颗CMOS单片集成全硅微显示芯片。该研发团队致力于全硅光电集成。新推出的MicroLED显示芯片有望改变传统思维，在既定领域全面取代LCD和OLED。台积电的1nm制程或有重大突破。5月18日，台积电联合台湾大学、麻省理工学院宣布在1nm以下芯片方面取得重大进展，研究成果发表在Nature上。研究发现，使用半金属铋Bi作为二维材料的接触电极，可以大大降低电阻和增加电流，并实现接近量子极限的能效，有望挑战具有制程的芯片低于1纳米。
