据海外媒体报道，苹果全新M3 Ultra产品将于今年年中推出。
该芯片是首款采用台积电N3E工艺节点的芯片。
目前，已经上市的M3、M3 Pro和M3 Max芯片均采用台积电的N3B工艺，而A17 Pro也采用N3B工艺。
资料显示，台积电规划了多达五种3nm工艺，分别是N3B、N3E、N3P、N3S和N3X。
N3B是其第一个3nm节点，并且已经量产。
N3E是N3B的增强版，但台积电曾透露，从技术数据来看，栅极间距不如N3B。
不仅如此，第一代3nm N3B成本高、良率低，只有70%到80%之间，这意味着芯片制造过程中至少有20%的产品存在缺陷，而N3E良率高、成本低和表现不佳。
会略低于N3B。
业内人士指出，台积电N3B的良率和金属堆叠性能都很差。
由于这些原因，N3B不会成为台积电的主节点。
相比之下，N3E将使用更少的EUV光刻层数，从25层减少到21层，投产难度更小，良率也可以更高。
成本自然会降低，但晶体管密度会降低。
从以上来看，这款苹果M3 Ultra芯片可能会成为苹果历史上最强大的3nm芯片。
它将安装在 Apple Mac Studio 上，敬请期待。