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半导体先进封装“内卷化”升级

时间:2024-02-25 18:10:22 科技迭代

图片来源:Unsplash-Alex Gorin 文|半导体产业纵横 对于中国大陆(大陆)来说,半导体仍然是一个朝阳产业,但从全球范围来看,该产业已经发展到了一个非常成熟的阶段,业内人士常说半导体已经是一个夕阳产业。

从日益激烈的竞争来看,这种说法不无道理。

目前,中国大陆半导体行业,特别是IC设计和封测行业,由于参与者数量众多,竞争加剧,但整体发展水平还不高。

因此,在这两个领域,中低端产品和服务“内卷化”现象严重,想要突破这种恶性循环,就必须向高端方向发展。

国际厂商无论是在IC设计、晶圆代工还是封装测试领域,都开始加剧中高端产品和服务的竞争,特别是在当前全球经济低迷的背景下,半导体产品需求疲软。

国际各大厂商在高精尖技术领域的竞争也在加剧。

封装就是典型代表,因为封装测试是半导体芯片生产的最后一个环节,其技术含量低于晶圆代工。

因此,国际主要厂商在这部分的“内卷化”更加明显,并从传统封装技术向先进封装不断延续。

01.先进封装简介先进封装与传统封装技术相比,具有小型化、薄型化、高密度等优势、功耗低、功能集成。

它不仅可以提高性能、扩展功能、优化形式。

与系统级芯片(SoC)相比,还可以降低成本。

传统的封装技术主要有直插式封装、表面贴装、引脚栅格阵列(PGA)等,当然,它们下面还有细分的技术类型,这里不再讨论。

先进封装技术可分为两个发展阶段:一是以球栅阵列、倒装芯片(FC)为代表的技术,已发展到相对成熟的阶段;其次,以SiP(SiP)和晶圆级封装(WLP)为代表的先进系统级封装技术正在从传统的二维封装转向三维封装。

目前,此类技术最为先进,处于成长期,尚未完全成熟。

本文主要讨论这些尚未完全成熟的先进封装技术。

SiP是一个非常广泛的概念。

广义上讲,它涵盖了几乎所有的多芯片封装技术。

然而,就最先进的SiP封装技术而言,主要包括2.5D/3D Fan-out(扇出)、Embedded、2.5D/3D Integration以及异构Chiplet封装技术。

晶圆级封装分为扇入型和扇出型。

扇入式封装直接在原始硅片上完成。

它将所需的I/O安排在原始芯片尺寸内。

封装尺寸基本等于芯片尺寸。

扇出封装是扇入封装的改进版本。

其过程与扇入相同。

基本是一样的,不同的是不是在原来的硅片上做,而是把芯片切下来,然后重新组装硅片。

这样做的目的是为扇出区域创造空间。

2.5D/3D扇出是从扇出晶圆级封装技术发展而来的。

它有数千个 I/O。

它是目前最先进的封装技术,广泛应用于移动设备,尤其是智能手机。

据Yole统计,2021年先进封装市场规模将为374亿美元,预计到2027年将以9.6%的复合年增长率(CAGR)增长至650亿美元。

目前,在先进封装市场从广义上看,倒装芯片规模最大,占据了先进封装市场80%的份额,其次是晶圆级扇入和扇出封装,而晶圆级封装相对整体先进封装市场来说是仍然相对较小,主要是由于先进的制造工艺掌握在少数制造商手中。

但从增长速度和发展潜力来看,3D堆叠/嵌入式/晶圆级扇出是增长最快的三个。

大封装技术。

到2027年,2D/3D封装市场预计将达到150亿美元,扇出WLP约40亿美元,扇入约30亿美元,嵌入式约2亿美元。

与传统封装相比,先进封装的应用范围不断扩大,预计到2027年将占整个封装市场的50%以上。

02、不同业态厂商的发展路线。

近年来,除了传统的外包封装测试代工厂(OSAT)外,晶圆代工厂(Foundry)和IDM厂商也在大力发展先进封装或相关技术,甚至IC设计公司(Fabless)和OEM厂商也参与其中。

不同业态的厂商在包装业务上投入的资源不同,其技术发展路线也不同。

总体来看,最具代表性的企业有四家,分别是台积电、日月光、英特尔和三星电子。

其中,台积电和三星电子为Foundry,英特尔为IDM,日月光为OSAT。

由于台积电在发展先进封装技术和业务方面具有远见,经过多年的积累和发展,台积电现已成为先进封装技术的领导者,并相继推出了晶圆上基板芯片(CoWoS)。

)封装、集成扇出(Integrated Fan-Out,InFO)封装、集成芯片系统(System on Integrated Chips,SoIC)等。

英特尔紧随其后,推出了EMIB、Foveros和Co-EMIB等先进封装技术,力争通过2.5D、3D和嵌入式三种异构集成形式,实现互联带宽加倍、功耗减半的目标。

三星电子则相对落后。

为了追赶台积电,前几年推出了扇出面板级封装(FOPLP)技术,进一步降低大面积扇出封装中封装的横截面高度。

增强互连带宽、压缩单位面积成本的目的是为了获得更高的性价比。

就Foundry而言,由于2.5D/3D封装技术涉及到前端工艺的延续,因此Foundry对前端工艺有非常深入的了解,对整体布线架构也有更深入的了解。

因此,在高密度封装方面,Foundry优于Foundry。

传统OSAT工厂更有优势。

另外,Foundry更擅长扇出封装,并且在这方面投入较多。

主要原因是扇出封装具有更多的I/O数量和更高的定制化程度。

从发展情况来看,传统OSAT厂在Fan-out封装方面将受到很大冲击,未来其市场份额将越来越小。

Yole预计,到2024年,Foundry将占据扇出封装市场71%的份额,而OSAT的市场份额将下降至19%。

以台积电为例。

2020年,公司将其SoIC、InFO、CoWoS等3DIC技术集成到台积电3D Fabric中,进一步深度融合制程技术和封装技术,提升竞争力。

台积电针对手机AP的InFO封装技术是几乎不使用封装载板的InFO_PoP(Package-on-Package),与OSAT基于载板技术的FC-PoP竞争。

最先进的封装技术多用于手机芯片,如应用处理器AP。

在手机AP封装结构中,下层是逻辑IC,上层是DRAM。

如果采用InFO_PoP技术,芯片客户必须首先购买DRAM。

但由于DRAM具有类似期货的价格走势,且晶圆级扇出成本较高,近年来,虽然InFO_PoP已发展至第七代,但实际量产订单仍以苹果AP为主。

考虑到DRAM的采购成本,台积电推出了InFO_B(仅底部)衍生技术,只有下部逻辑IC封装部分。

据了解,联发科等人对此技术非常感兴趣。

毕竟移动AP要考虑性能、功耗、体积、散热等。

发展趋势没有改变。

也许Fan-out技术是与高通竞争、追赶苹果的关键。

一线IC设计公司指出,虽然手机芯片厂商愿意引入Fan-out等先进封装技术,但产线首先会瞄准少数顶级旗舰AP,并会优先考虑最量产的Foundry生产经验。

日月光、Amkor、长电等OSAT厂商在载板型FC封装技术方面实力雄厚,需求量巨大。

即使在4nm和3nm工艺中,FC封装仍然是具有成本效益优势的首选。

然而,IC设计公司需要更加差异化的产品和服务。

IC设计公司获得先进工艺生产能力后,进入后端封装工艺。

市场上唯一拥有大规模量产手机AP Fan-out封装经验的公司是台积电。

至于三星,先进封装技术起步晚于台积电。

三星原本想采用扇出面板级封装(FOPLP)技术来抢占手机AP市场份额。

然而,三星一直未能解决FOPLP翘曲等问题。

同时,FOPLP封装的芯片精度无法与晶圆级封装相比,导致无法改善良率和成本问题。

目前,采用FOPLP量产的芯片仍主要应用于智能穿戴设备,在智能手机等要求更高的应用领域尚无法实现大规模量产。

面对不成功的FOPLP,三星在2020年推出了3D堆叠技术“X-Cube”,2021年还宣布正在开发“3.5D封装”技术。

为了在先进封装技术上赶上竞争对手,2022年6月,三星DS部门成立了半导体封装工作组(TF),直属DS部门CEO。

作为IDM,英特尔也在积极布局2.5D/3D封装,其封装产品量产时间晚于台积电。

Intel 2.5D封装的代表技术是EMIB,可以对标台积电的CoWoS技术,3D封装技术Foveros可以对标台积电的InFO。

不过,目前以及可预见的未来,英特尔的封装技术主要应用在自家产品中,对市场影响较小。

与Foundry和IDM相比,传统OSAT在多功能基板集成组件(如SiP封装)方面具有优势,市场份额也更大。

此外,OSAT擅长扇入封装,仍将是市场的主要参与者。

与Foundry的SiP封装技术相比,OSAT工厂(ASE等)的优势在于异构集成。

例如,Apple Watch S系列高密度集成了各种有源和无源器件。

相关技术多应用于射频、基站、汽车电子等领域。

其他领域的多设备集成。

Foundry不太愿意在这一领域布局,主要关注高性能计算和高端传感所需的高难度、高密度封装工艺。

因此,异构SiP封装对于OSAT来说是一个稳定的增量市场。

据Yole统计,2020年OSAT占据SiP市场份额的60%,而Foundry和IDM分别占据14%和25%。

03.结论对于国际厂商来说,传统封装技术已经淹没在“红海”中,投资价值不大。

随着先进制造工艺的发展越来越不符合摩尔定律,退而求其次的就是在先进封装工艺上下功夫。

这是市场应用发展提出的需求。

因此,国际各大厂商,尤其是先进制程技术处于行业领先地位的厂商,无论是Foundry还是IDM,都开始在最先进的封装领域进行大力投入,以期在先进制程+先进封装的融合上形成护城河。

,在未来的竞争中占据更有利的地位。

在发展最先进封装技术的道路上,不同业态的厂商选择了不同的路线。

传统OSAT不具备芯片制造的前端工艺,其封装技术对与工艺技术的集成匹配要求不高。

因此,OSAT仍以多芯片SiP封装为主要发展方向。

Foundry与OSAT正好相反。

需要利用其先进的芯片制造技术,走芯片制造+封装的高度集成路线。

IDM介于Foundry和OSAT之间,比较平衡。

无论是晶圆级封装还是先进SiP,IDM都有着广阔的应用领域。

就目前的情况来看,在与先进制程技术(10nm以下)相匹配的先进封装技术方面,英特尔是唯一能够掌控并愿意大量投入的IDM。

由于对外销售的份额非常有限,与领先的Foundry和OSAT相比,英特尔开发最先进的封装技术主要是为了“自娱自乐”。

未来能否扩张取决于公司晶圆代工业务的发展情况。

情况。