富士通半导体（上海）有限公司今日宣??布成功推出一款1Mb内存的FRAM产品——MB85RS1MT。
由于该器件采用晶圆级芯片级封装（WL-CSP），其尺寸仅为3.09 × 2.28 × 0.33 mm，使其成为业界最小的带有SPI接口的1Mb FRAM器件。
MB85RS1MT为智能可穿戴设备提供了理想的存储器件选择。
除了让终端应用产品的整体尺寸更小之外，还可以让整个系统在写入数据时最大限度地降低功耗，以延长系统运行时间。
时间。
智能可穿戴设备是目前市场的热门话题，并且正在以惊人的速度渗透和发展。
智能可穿戴设备应用范围广泛、种类繁多，包括智能眼镜、头戴式显示器、隐藏式助听器、智能脉搏计等，以及可以记录卡路里消耗和计算数据的智能手环等活动记录器。
在众多的智能穿戴设备中，数据的持续实时记录也是必须的。
图 1：SOP 封装和 WL-CSP 外观 与 EEPROM 和闪存（Flash）等通用非易失性存储器相比，富士通 FRAM 可以保证一万亿次写入/擦除周期。
它的写入速度是前者的两倍以上，而功耗仅为前者的1/1/00。
FRAM的使用寿命是EEPROM和Flash的0倍以上，使其成为数据实时存储的理想选择。
图2：SOP封装和WL-CSP封装的体积比较。
为了在更广泛的应用中进一步拓展FRAM的快速读写、高可靠性和低功耗的特性，富士通半导体推出了针对1MB FRAM器件的SOP封装。
推出了新的 WL-CSP 封装版本（见图 1）。
采用WL-CSP封装后，MB85RS1MT的尺寸仅为3.09 × 2.28 × 0.33 mm，比SOP封装小95%（见图2）——面积比SOP封装小77%（见图2）。
图3），其厚度只有信用卡厚度的一半（见图4）。
图 3：SOP 封装与 WL-CSP 封装面积比较 图 4：SOP 封装与 WL-CSP 封装厚度比较 低功耗是 FRAM 的众多优点之一。
与常用的EEPROM非易失性存储器相比，FRAM写入数据的速度更快，因此可以显着降低写入数据时的功耗（图5）。
为此，需要频繁写入数据进行实时记录的可穿戴设备在使用这种FRAM后可以具有更好的电池寿命和更小的尺寸的优势。
图5：写入时功耗对比富士通半导体自2016年开始量产FRAM产品以来，上述产品特性已广泛应用于工厂自动化设备、测试仪器、金融终端、医疗设备等领域。
WL-CSP封装MB85RS1MT器件的推出，将其应用领域拓展至智能穿戴设备应用，为客户提供更小、更薄、功能更丰富的产品，并显着延长待机时间。