存储芯片具有固有的周期性特征，主要产品DRAM和NAND Flash的市场规模也存在明显的周期性波动。
01 内存芯片大幅下跌是市场规律。
从DRAM的价格周期来看，自2012年以来，DRAM经历了三个周期。
第一个周期：2012年Q3到2016年Q2。
其中，2012年Q3到2014年Q2的周期为上升周期，主要推动力智能手机的爆炸式增长和 DRAM 需求的增加； 2014年Q3到2016年Q2的周期是下行周期，主要是各厂家扩大生产导致供大于求。
第二个周期：2016年Q3至2019年Q4。
其中，2016年Q3至2018年Q2周期向上，主要驱动力是各大存储芯片厂商产能向3D NAND Flash转移，有没有DRAM扩产计划； 2018年第三季度到2019年第四季度周期下行，主要是受中美贸易摩擦影响。
这导致全球下游需求低迷，服务器、PC、笔记本电脑等需求不佳，DRAM供应过剩。
第三周期：2020年第一季度至今。
其中，2020年Q1至2021年Q2期间为上升周期。
主要驱动力是疫情期间在线经济和家庭办公需求带来的服务器、电视和PC出货量的激增。
5G手机升级带动单机产能升级，带动DRAM价格反弹。
此后，2021年第三季度就进入了下行周期。
原因在于，随着智能手机等消费电子产品的需求进入低迷，存储制造商不断去库存。
NAND Flash和DRAM的价格周期波动类似，从2012年开始也经历了三个周期。
第一个周期：2012年Q3到2015年Q4。
其中，2012年Q3到2013年Q1这段时间是上升周期，主要推动力是智能手机需求的爆炸式增长。
从2013年第二季度到2015年第四季度的下降周期主要是由于PC销量下降，导致需求持续疲软。
与此同时，各大存储厂开辟新产能，存储芯片整体供应超过需求。
第二个周期：2016年Q1至2019年Q4。
其中，2016年Q1至2017年Q2的上升周期主要是由非苹果智能手机品牌的需求推动。
但多数厂家良品率普遍上升缓慢，供应量下降严重。
从2017年第三季度到2019年第四季度的下行周期主要是由于厂商3D NAND良率提升和大幅扩产，但服务器、PC和平板电脑等其他零部件的需求疲软。
第三周期：2020年第一季度至今。
其中，2020年Q1到2021年Q2，NAND Flash的价格处于震荡状态。
主要矛盾是中美贸易摩擦一定程度抑制了需求，而在家办公则有力拉动了消费电子需求。
2021年Q2至今，智能手机等消费电子需求进入低迷，存储厂商持续去库存。
从这个角度来看，DRAM和NAND市场都具有天然的周期性，每个周期持续约3至4年。
虽然这会导致价格和收入的剧烈变化，但属于市场波动的正常现象。
02 您对下半年看好吗？从2021年下半年到现在，DRAM和NAND Flash两大存储芯片的价格已经连续20个月下跌。
各存储芯片制造商正专注于减少产量、应对库存问题、节省资本支出以及推迟先进技术的进展，以应对疲软的存储需求。
为应对3D NAND和DRAM内存需求放缓，美光宣布将减少DRAM和NAND晶圆产量约20%。
此外，美光还宣布将在2023年削减30%的资本支出。
SK海力士也宣布将在2023年削减50%以上的资本支出，并减少回报较低的存储产品的生产。
随后今年年初，台湾媒体报道称SK海力士已将国内工厂的晶圆产量减少了10%。
Kioxia也进行了减产，调整了日本四日市和北上NAND Flash晶圆厂的产量，晶圆产量将减少约30%。
西部数据宣布将 NAND 闪存产量削减 30%。
就在近日，三星一改此前不减产的态度，宣布削减存储芯片产量。
三星电子表示，将把内存芯片产量减少到“合理水平”，并专注于PC内存“DDR4”等通用产品。
随着各大内存厂商大幅减产，内存芯片供过于求的局面将进一步改善。
近期，从海外三大存储巨头的预测来看，市场形势正在发生微妙的变化。
美光表示，存储芯片库存已经达到高点，未来行业有望迎来拐点。
尽管存储价格仍在下跌，但制造商的库存压力已达到顶峰，预计将逐渐降至安全水平。
SK海力士日前也在股东大会上透露，预计存储芯片需求将在今年下半年复苏，但不确定性仍然存在。
该公司今年将资本支出减半，并且不会进一步减产。
铠侠还认为，随着今年中国经济的全面重启，客户库存水平将逐季下降，市场需求将在今年下半年恢复。
此外，在近日举行的CFMS 2023峰会上，中国存储龙头长江存储首席运营官程伟华在演讲中也提到，得益于智能手机、服务器和个人电脑制造商的需求订单，全球存储市场的供需关系得到改善。
NAND闪存市场将在今年下半年达到平衡。
值得注意的是，三星电子近期通知经销商，将不再以低于当前价格的价格销售 DRAM 芯片。
近期DRAM现货价格止跌，明显早于预期。
据全球半导体观察者DRAMeXchange数据显示，最常见的DRAM产品之一DDR4 16Gb 2600现货价格在4月11日上涨0.78%，成为2022年3月7日以来的首次涨价。
03HBM报价激增，NAND跌势放缓向下。
存储市场的崩溃主要有两个原因。
一方面，供给过剩。
目前，全球存储厂商都在努力减产并取得了成效。
另一方面是市场需求低迷所致。
随着全球经济复苏以及AIGC的推动，或许有望在低迷过后迅速复苏。
最近AIGC非常火爆，AI服务器的需求大幅增加。
AI服务器所需的DRAM容量是传统服务器的8倍，NAND Flash是传统服务器的3倍，直接带动DRAM和NAND的需求大幅增长。
2023年，服务器使用的DRAM将超过智能手机，成为DRAM最大的应用场景。
HBM突破了内存容量和带宽瓶颈，被视为新一代DRAM解决方案。
据悉，2023年开始后，三星和SK海力士两大存储厂商的HBM订单迅速增加，价格也水涨船高。
近期，HBM3规格DRAM的价格已经上涨了五倍。
目前，HBM主要安装在GPU、网络交换转发设备（如路由器、交换机）、AI加速器、超级计算机和高性能服务器上，约占整个DRAM市场的1.5%，整体市场份额水平为仍然很低。
不过，随着AI技术对高算力的需求不断扩大，HBM销量预计将快速增长。
根据TrendForce数据显示，预计2023年至2025年HBM市场复合年增长率将增长至40%-45%以上，预计到2025年市场规模将达到25亿美元，市场需求快速增长。
此外，大型AI模型的海量数据集需要更大容量的NAND Flash来存储数据。
据悉，GPT-3的参数数量已达到1750亿个，GPT-4需要更多。
根据TrendForce数据，去年第四季度NAND闪存合约价格下跌20%至25%。
今年第一季度，NAND闪存的平均价格降幅已经收敛，达到10%到15%。
第二季度将继续下降，但下降幅度将放缓至5%至10%。
04 相关厂家面临订单激增。
随着存储芯片下游不断消化库存，各大厂商的减产几乎已经成为不可挽回的事情。
此外，三星还传出有意调整产能，这可能导致存储价格随时反弹，从而引发下跌。
由于低价大规模补货的买气，相关厂家迎来了订单抢购潮。
李成表示，客户已经开始加大下单量，今年的情况会好于预期。
群联电子还透露，客户提前补充库存，订单量大幅增长约20%。
力正是全球存储封装测试领域的领导者，群联是主要的NAND Flash控制芯片制造商。
近期，两大厂商同时接到订单，同时传出好消息。
他们最先感受到市场形势正在走强，揭示出整体存储市场正在快速复苏。
李成曾在3月中旬的新闻发布会上表示，今年第一季度的运营速度比以往淡季要慢，预计从第二季度开始会慢慢回暖。
然而仅仅半个月后，情况似乎就发生了巨大的变化。
力诚CEO谢永达直言，随着行业库存逐渐见底，加上近期紧急客户订单涌入，公司今年的展望和看法将好于原先预期。
谢永达表示，与逻辑芯片市场相比，存储市场进入回调较晚，恢复较晚。
而且，大多数存储公司都拥有晶圆厂，因此减产幅度应该不会太大。
随着客户的库存接近达到，行业拉货的力度自然开始恢复。
群联CEO潘建成指出，目前NAND Flash的价格相当便宜，成功刺激了终端需求。
据观察，市场需求呈倍数增长。
预计其他存储厂商也会宣布减产，这意味着未来有机会迎来行业繁荣的复苏。
群联感受到客户群提前补充库存的迫切需求，近期订单量大幅增长约20%。
从这一点来看，相信用不了多久，存储行业的寒风就会停止，暖风慢慢来临。
05 即将到来的是好消息。
江波龙高级副总裁兼COO王景阳表示：“价格下跌对于我们存储厂商来说是非常痛苦的。
我们可能会亏损，可能会有库存压力，但实际上这对整个行业的繁荣是一个很大的好处。
这个过程可能会有些痛苦，但应该会很快过去。
”确实，当这股寒潮过去之后，情况将会大好。
因为大容量内存的终端渗透率正在不断提高。
在手机市场，中低端手机存储容量向128/256GB发展，高端手机存储容量向512GB，甚至1TB发展，手机内存也向10+GB发展，尤其是中高端Android手机，越来越多的设备配备12GB/16GB LPDDR，而在PC市场，今年将全面进入512G和1T时代，将以1TB容量为主。
无论是新一代大容量移动产品和消费级SSD的迭代升级，还是创新应用场景的层出不穷，未来消费电子市场仍将是存储行业的重要增长市场之一。
在数据中心领域，IT架构创新以及eSSD丰富场景的应用也正在推动服务器存储能力的快速发展。
因此，总体来看，2022年存储市场规模将有所下降，但存储容量仍将小幅增长。
其中，全球NAND Flash产能增长6%，达到6100亿GB，全球DRAM产能增长2%，达到1900亿GB。
随着线上业务的不断发展和海量数据的不断增长，未来存储市场也将迎来新一轮的需求变化。