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《芯片法案》下周签署!台积电对佩洛西保持沉默,三星、SK海力士谨慎观望

时间:2023-03-11 21:22:43 科技观察

在《芯片法案》通过的背景下,佩洛西会见台积电董事长刘德银备受关注。据报道,两人主要讨论了这项法案(又称《芯片与科学法案》)的实施事宜。此前,佩洛西的台积电之行并没有出现在他的官方行程中,而是与其他台湾高官的会面计划捆绑在一起。台积电官员拒绝就会议发表评论。造访台积电,逼其“选边站”?美国此次通过的《芯片法案》,与台积电息息相关。目前,台积电正在亚利桑那州兴建耗资120亿美元的5纳米制程厂,预计2024年投产。不过,根据台积电的技术路线图,到2024年,5纳米已不再是最先进的技术,该公司还没有在海外建设最先进的芯片工厂。根据美国《芯片法案》,在美国建厂的芯片企业可以从520亿美元的巨额补贴中分一杯羹。虽然英特尔大概率拿不到那么多,但有钱总是好事。相比之下,台积电在中国大陆的工厂至少比最先进的技术落后“两代”。台积电在南京拥有12英寸晶圆代工厂,采用成熟的16nm和28nm制程技术,在上海拥有8英寸晶圆代工厂。目前,台积电在中美两国的半导体产业中都扮演着不可替代的重要角色。而台积电一直试图在美国和中国之间取得平衡。但此次通过的《芯片法案》规定,要想获得美国政府的补贴和资助,就必须承诺不在中国大陆增加先进芯片的产能。看来,对于台积电来说,“选边站”似乎在所难免。台积电董事长刘德银此前在接受美国有线电视新闻网采访时表示,没有人可以用武力来控制台积电,因为任何军事行动都可能导致“台积电的工厂无法运转”。他还表示,台积电不应该仅仅因为靠近中国大陆就受到“歧视”。佩洛西访华造成的两岸紧张气氛,更体现在分析人士的观点上。拥有“中国通信行业知名观察家”称号的微博用户@飞象网向立刚在社交媒体上发表了自己的看法。他认为,大陆和台湾的芯片企业主要是在竞争,而且是残酷的竞争。没有合作,或者竞争大于合作。他说:“台湾芯片企业在大陆,特别是在大陆市场使用大陆的政策、资金、资源和人才。”《芯片法案》将于下周签署。允许佩洛西“访问”台积电的“芯片法案”已于7月底在众议院以243票对187票、参议院64票对33票获得通过。最终版本的资助规模高达2800亿美元。除了之前的520亿美元对芯片企业的建厂补贴和税收优惠外,还包括投资2000亿美元加强人工智能等技术领域的研究,100亿美元建设20个技术研究中心和其他数十亿美元的投资等等。此外,该法案将在五年内拨款超过1700亿美元用于推进美国的科学研究。英特尔透露,一般来说,建设一座新晶圆厂的成本约为100亿美元。通过芯片法案,企业可以节省30亿美元。随后,白宫在8月3日的新闻声明中表示,拜登将于8月9日签署该法案。至此,酝酿了两年的“芯片法案”距离落地仅差一步之遥。韩国巨头再次观望。在《芯片法》的影响下,韩国芯片厂商也开始对中国市场有所顾忌。分析师和业内消息人士称,不断升级的紧张局势可能迫使三星和SK海力士重新审视其在中国的投资战略。曾担任韩国贸易部长的经济官员YeoHan-koo表示,韩国芯片制造商针对美国和中国的“战略调整”已经开始。三星去年宣布,将在美国得克萨斯州投资170亿美元建设新的晶圆代工厂,以追赶竞争对手台积电。5月访问韩国期间,拜登参观了三星的平泽工厂。上个月,SK集团董事长宣布在美国投资220亿美元用于半导体、电动汽车电池和绿色技术,包括新的先进芯片封装厂。5月,美国总统拜登(右)和韩国总统尹锡烈参观了位于平泽的三星电子工厂。两大厂在中国的投资也不少。三星在中国西安的存储芯片业务是中国最大的海外芯片项目之一,自2012年破土动工以来,该公司投资约260亿美元。根据TrendForce去年年底的数据,西安工厂占三星全球NAND闪存产能的43%,占全球总产能的15%。SK海力士去年年底刚刚完成以90亿美元收购英特尔NAND业务的第一阶段,其中包括位于大连的NAND制造厂。同时,SK海力士位于无锡的DRAM内存芯片工厂也有可能受到影响。由于美国的阻挠,SK海力士无法使用荷兰公司ASML制造的最新极紫外光刻(EUV)芯片制造机来升级其在无锡的DRAM内存芯片生产设施。专家表示,鉴于三星和SK海力士控制着全球50%以上的NAND闪存芯片市场,美国的制裁将付出巨大代价——扰乱脆弱的全球芯片供应链。在全球经济放缓和全球芯片短缺的情况下,消费者需求本已疲软,美国的新动荡已经开始扰乱从汽车到电子设备的市场。现在,全球芯片短缺问题还没有解决,任何新的动荡迹象都将点燃市场焦虑情绪,引发价格飙升。此外,用于制造芯片的设备必须在生产开始前几个月进行安装和全面测试。将设备运往中国的任何延迟都将对芯片制造商构成极端挑战。“许多美国公司使用三星和SK海力士的存储芯片。无论(三星和SK海力士)最终选择哪种策略,都会产生全球影响,”BNK证券分析师Lee表示。内存芯片也成为目标据路透社报道,美国正在考虑禁止向中国出口用于制造先进NAND内存芯片的设备。就在几天前,以参议院多数党领袖查克·舒默为首的多位美国参议员致信美国商务部长,要求将长江存储等中国芯片制造商加入美国贸易黑名单。目前,长江存储及其母公司紫光集团均未就此发表评论。在美国加大力度遏制中国半导体产业之际,这一消息尤为敏感。与此同时,中国正在推动战略经济部门实现更大程度的自给自足,以减少对此类技术进口的依赖。美国半导体设备供应商LamResearch和KLACorp表示,美国正在推动对中国实施更严格的出口法规,涵盖制造14纳米及以下芯片所需的设备。此举使中国顶级芯片制造商中芯国际更难进军先进芯片制造领域。2020年12月,中芯国际被列入美国实体限制清单。但长江存储自2016年以来与美国保持着良好的关系,从未被列入任何美国贸易黑名单。有关禁令的报道发布之际,长江存储一直在加紧建设其在武汉的第二家制造工厂。据日经亚洲报道,该公司于6月开始在一家新芯片工厂安装设备,最早可在2023年生产196层3DNAND闪存。不可否认,长江存储在芯片制造设备上仍然严重依赖进口。中信证券首席电子分析师徐涛在近期的研报中表示,截至今年7月,长江存储只有18%的制造设备来自国内企业。“显然,如果没有美国的技术来源,中国的半导体生产相当困难,”韩国产业经济与贸易研究所高级研究员KimYangpeng说。