存储级内存不会取代DRAM或NAND它在内存存储架构中的地位介于两者之间，竞争成为SCM领导者的候选技术有很多：PCM、MRAM、FeRAM和STT-RAM等。图1.内存-存储架构中的存储级内存一些分析人士认为，存储级内存（SCM）最终可能会取代NAND，如果速度足够快，还会取代DRAM，成为一种通用内存。Sivaram不同意这种观点。他认为目前还没有通用的SCM技术可以取代NAND和DRAM。他说：“NAND的未来是NAND，DRAM的未来是DRAM，没有通用的存储级内存市场。”据Sivaram介绍，SCM面向许多特定的利基领域，并且“针对不同的应用场景有不同的类型”。例如，MRAM适合某个细分市场，而FERAM适合另一个细分市场。多年来，WesternDigital分析了许多不同类型的SCM技术，例如PCM、MRAM和FeRAM。“我们在这方面做了大量的工作，我们在XPoint和3DXPoint上拥有独家专利。我们在2004年做了一个8层交叉，我们一直在关注这方面。”为强调西部数据对SCM的承诺，Sivaram表示该公司早在2004年就通过交付某些SCM产品赚取了4亿美元。QLC闪存使用各种闪存技术来提高性能、耐用性和可靠性(PER)。在任意层转换点，比如从64层到96层，都可以升级到更多bits/存储单元，比如从MLC（2bits/存储单元）升级到TLC（3bits/存储单元）。图2.西部数据的64层3DNAND芯片Sivaram说：“TLC一代比一代好，但这项技术已经走到了尽头。所以QLC更值得关注。”对于西数来说，增加存储单元数量的成本效益考量是基于首先判断从附加层获得的PER提升是否足以满足市场需求。如果不是，西部数据是否也应该增加存储单元的数量？这提供了更大的容量，但缺点是层数增加带来的PER值降低。图3.WesternDigital的SivaSivaram控制器和超额订阅的进步可以减轻由存储单元中的位数变化引起的权衡。这就是现在QLC闪存正在发生的事情，Sivaram说。使用96层3DNAND的企业级固态硬盘与TLC存储单元配合使用效果最佳。但称为1xx（100层多层）的下一代技术可能是QLC闪存。假层顺便说一下，Sivaram提到3DNAND有假层，其中实际上没有任何位——这完全是3DNAND制造方式的一个特征。他说，严格的层数（包括虚拟层）会将96层3DNAND晶圆变成100层晶圆。然而，西部数据只计算带有字线的层数，因此忽略了错误的层数。这意味着其他制造商可能不会这样做；例如，一家制造商的112层可能与另一家制造商的112层不同。这使得很难比较供应商之间的层数。五级单元闪存五级单元闪存（5位/单元或PLC）是指在存储单元中选择32个电压电平之一。这比QLC闪存的16级电压耗时更长，读取性能和寿命也不如QLC闪存。图4.随着存储单元位数的增加，耐用性降低。PLC提供更大的容量，但原始PER值低于QLC闪存。Sivaram认为，由于QLC代际进步的回报递减效应，PLC将在未来两到三年内被采用。他说，到那时，“控制器将具有机器学习算法”，可以更有效地应对PLC闪存的局限性。从QLC到PLC的过渡将遵循与MLC-TLC和TLC-QLC过渡相同的模式。根据Sivaram的说法，这是该行业的一个特点。原标题：WD：存储类内存不会取代DRAM或NAND，作者：ChrisMellor
