郑平 内存涨价从2016年下半年开始。根据ICInsights预估，2017年内存（DRAM）价格将上涨39%。、闪存（闪存）预计也将增长25%。这是由于需求增长和供应收缩造成的。
一方面，国产品牌手机出货量持续增长，且随着新一代iPhone产品的推出，内存产能正在被大量消耗；另一方面，以三星、海力士为代表的企业正在进行一场内存创新竞赛，将2D闪存（2D NAND Flash）转向三维闪存（3D ）的技术革命NAND Flash）导致产能增长放缓。 这是一个谁获得记忆，谁就获得世界的时代。存储器被广泛称为“半导体行业的皇冠”。
如今，它正在成为手机、电脑等产品硬件配置升级的重要卖点。在全球内存市场的寡头竞争中，随着内存价格的上涨，三星成为了最大的赢家，并且一路高歌猛进，而东芝半导体则因此遭受了巨大的损失，陷入了尴尬的境地。
与此同时，涨价正在侵蚀原本竞争激烈、利润微薄的智能手机行业。一直在打价格战的智能手机公司历史上首次出现价格上涨。 在此形势下，国产内存正在构建南京、武汉、晋江三足联盟。国家已经下定决心发展存储器产业。
通过自主研发关键技术和引进半导体巨头，能否在全球存储器产业的关键时刻实现“弯道超车”？ 寡头格局 内存是几乎所有电子产品的基础关键部件承担着信息存储的功能。半导体存储器按产品类型可分为内存（DRAM）和闪存（Flash）两大类。当电子产品断电时，DRAM中存储的数据会自动消失，但Flash不会消失。存储的数据将被保留以供下次使用。
DRAM常见的产品形态主要是记忆棒。闪存在生活中随处可见，主要有micro SD卡、UFS（通用闪存存储）、EMMC（嵌入式多媒体存储卡）、U盘、SSD（固态硬盘）等。
存储器的应用领域非常广泛广泛，涵盖从消费电子到工业、汽车、航空航天、军事、医疗等各个领域。 存储器是半导体三大产品类别之一，市场规模巨大，约占全球半导体总产值的23%。数据显示，2015年全球DRAM产值约为450亿美元，全球NAND闪存市场规模约为300亿美元。 DRAM和NAND闪存总产值占全球半导体存储器行业的95%。
同时，存储器是标准化产品。从历史上看，存储器行业随着库存、需求、产能等因素的变化，具有明显的周期性，存储器毛利率随着行业的周期性波动而发生剧烈变化。 关键是，由于存储器行业高度集中，全球面临着寡头垄断的竞争格局。 DRAM的主要市场参与者有限，主要包括三星、SK海力士、美光等公司。
韩国目前是全球最大的内存制造商。根据TrendForce数据，截至2016年第三季，全球NAND Flash市占率分布为三星(37%)、东芝(20%)、闪迪(17%)、美光(10%)、海力士(10%)。
）、英特尔（6%），全球DRAM市场份额为三星（50.2%）、海力士（24.8%）、美光（18.5%）、南亚科技（3.1%）、华邦电子（1.7%）、力晶科技（0.6%） ）、其他（1.2%）。内存模组厂商包括金士顿、美光等。金士顿是全球最大的内存模组厂商，2015年市场份额为68%。 随着文本、图片、语音、视频等各类数据的爆发式增长视频、存储器在消费电子产品中发挥着越来越重要的作用。
也是手机、电脑等产品硬件配置升级的重要卖点。目前笔记本电脑的内存容量一般为2G~16G，闪存容量为64G~512G。
智能手机的内存容量为2G~8G，闪存容量为16G~256G。同一厂商推出的同一款智能手机，仅仅因为内存容量的不同，价格可能会相差几百元到一两千元。由此可见存储器对于消费电子产品的重要性。
从半导体产业的发展历史来看，上个世纪，存储器产业经历了从美国到日本再到韩国的产业转移过程。记忆起源于美国。 20世纪50年代，美国开发出世界上第一块DRAM芯片。
美国在DRAM领域长期保持领先地位。为了集中发展半导体产业，日本政府于20世纪70年代中期联合日立、东芝、富士通等日本最大的五家计算机公司成立了超大规模集成电路研究会。到 20 世纪 80 年代中期，日本存储器产业已经超越美国。
韩国存储器产业以三星为代表。三星于20世纪80年代初进入集成电路行业。
在国外技术授权下，通过10年的自主研发、创新和不懈努力，于1994年成为全球第一大存储器制造商、第七大半导体制造商。 涨价背后 2016年下半年开始，内存市场出现供需缺口，需求持续增长。智能手机和服务器市场对内存和SSD的需求强劲。尤其是国产品牌手机出货量持续大幅增长。
新一代iPhone产品的推出需要大量的内存产能。同时，数据中心的建设带动服务器内存的持续增长，以及固态硬盘对PC中机械硬盘的替代，也增加了对NAND闪存的需求。 供应持续萎缩。
三星、海力士等公司正在逐步将2D NAND Flash（二维闪存）转移到3D NAND Flash（三维闪存）。 2D NAND Flash已经基本停止了。扩大生产。 3D NAND Flash作为新兴存储器，扩产时间较长，闪存产能增速放缓。
全球主要闪存厂商的3D NAND Flash目前占据了NAND??闪存产量的一半以上。目前，DRAM生产工艺的微缩已经进入20纳米节点。工艺不断缩小，提高成品率的难度急剧增大，经济效益不佳。因此，各大DRAM厂对于先进技术开发及资本支出均持保守态度，整体DRAM产能不断增长。
DRAM供给增速明显放缓，相对稳定。预计到2018年，随着3D NAND Flash产能和良率持续提升以及新产能投产，内存供应紧张的局面有望得到缓解。 此轮涨价或将改变全球内存竞争格局。
三星成为内存涨价的最大赢家。三星有望在2017年超越英特尔，成为全球半导体领导者。去年第三季度以来，内存涨价扭转了三星大规模召回Note 7手机带来的不利局面。
IC In-sights的数据显示，今年第二季度，内存价格的持续上涨推动三星半导体部门营收再创新高，预计将达到149亿美元，高于英特尔的144亿美元（估计的价值）。我们预计三星将在未来很长一段时间内主导全球存储市场的定价能力。
与长足进步的三星半导体不同，东芝的半导体业务发展处境尴尬。东芝2016年财报显示，该公司在美国的核电业务遭受巨额亏损。
为了扭转不利局面，东芝管理层希望出售其半导体闪存业务。业界认为，东芝闪存业务的售价将超过180亿美元。目前，博通、台湾鸿海、SK海力士、西部数据（WD）等公司都表达了浓厚的竞标兴趣。最新消息称，苹果、亚马逊将联手台湾鸿海，竞购东芝半导体业务。
谁会获胜？或许6月中下旬市场就会给出答案。这也反映出半导体闪存资产仍是全球热门商品。 涨价对下游智能手机和PC厂商非常不利。
内存价格上涨，显着增加了智能手机和PC厂商的成本，尤其是内存成本占比较高的中低端智能手机。这侵蚀了竞争激烈、利润微薄的智能手机行业，而PC制造商则面临着PC出货量的下滑。
内存供应严重短缺的双重压力。 目前，部分智能手机价格有所上涨，幅度在100元至500元不等，改变了以往智能手机降价的历史。
苹果新机型6月初正式进入量产，服务器市场对内存的需求持续增长，国产品牌手机进入销售旺季。这些因素都加剧了内存供应紧张的情况。部分智能手机厂商短期内可能会延迟甚至无法拿货。
到货。据IC Insights预估，2017年DRAM价格将上涨39%，闪存（Flash）价格也预计上涨25%。对于PC厂商来说，SSD取代普通硬盘已是大势所趋。
近年来PC行业增速放缓，订单不稳定也让内存厂商不愿在PC内存上投入资源。 中国存储器产业起步较晚。我国作为全球最重要的存储器市场，在国家产业政策支持和巨额资本投入的背景下，通过关键技术自主研发和半导体巨头引进，有望实现“存储器产业曲线”。超越”，在全球竞争中占据一席之地。
目前，南京、武汉、晋江已形成三足鼎立之势。国内内存目前主要依赖进口。据电子信息产业网数据显示，我国每年进口内存量约为600亿美元。
为此，国家决心发展存储器产业。 2016年7月，清华紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北国芯产业投资基金合伙企业（有限合伙）和湖北科投集团共同出资240亿美元设立长江存储。长江存储主要从事3D NAND Flash的芯片和制造，拥有全资子公司武汉新芯。
武汉新芯成立于2006年，2008年开始量产，拥有12英寸集成电路技术研发和制造能力。其闪存和图像传感器制造技术位居全球前列。它还在物联网领域有所布局。还从事SOC、3D集成、MCU平台等工艺技术的研发和生产。
紫光集团官网显示，其投资的紫光南京半导体产业基地项目于2017年1月正式签约落户南京，总投资超过300亿美元。其主要产品包括3D NAND Flash、DRAM内存芯片等，项目一期投资约100亿美元，月产芯片10万颗。金华集成电路官网显示，金华集成电路是由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团等共同组建的集成电路企业，于2016年2月在福建省晋江市成立，投资5.65美元亿建建12英寸内存（DRAM）晶圆制造生产线，通过与联华电子合作，共同开发先进内存技术和制程技术。