据韩联社北京时间12月20日报道，三星电子今日宣布，该公司已开始通过量产DRAM内存芯片。第二代10纳米工艺技术。 三星表示，该公司采用第二代10纳米工艺生产8Gb DDR4芯片，实现了新的突破。 2016年2月，三星采用第一代10nm工艺生产8Gb DDR4芯片。
据路透社报道，三星开发的8Gb DDR4芯片是“世界上最小”的DRA??M芯片，扩大了相对于对手的优势。在半导体业务的推动下，三星今年有望创下创纪录的营业利润。
三星表示，与第一代10纳米工艺相比，第二代工艺的产能提高了30%，这将有助于该公司满足全球客户对DRAM芯片飙升的需求。而且，第二代10纳米芯片比第一代芯片快10%，功耗降低15%。
作为全球最大的芯片制造商，三星表示，与2012年采用20纳米工艺生产的4Gb DDR3芯片相比，新的8Gb DDR4芯片在容量、速度和效率方面均实现了一倍的提升。 三星表示，公司希望通过扩大10纳米DRAM芯片的生产来进一步增强其整体竞争力。三星还表示，公司将采用新工艺为客户生产更多优质产品，并利用最新技术进步进军服务器、移动和图形芯片市场。
三星将于2018年将大部分现有DRAM芯片产能转移至10纳米芯片。 三星于10月底任命了半导体部门等三大业务的新一代领导人。
三星表示，并不寻求立即扩大芯片出货量，但会进行投资以维持其长期市场地位。