作为曝光最多的纳米技术之一，任何有碳纳米管的东西都会立刻显得高端。日本富士通公司近日宣布与美国曼特罗公司达成合作协议。双方将共同推进碳纳米管存储器（NRAM）的研发和制造。据说这种内存比普通闪存快1000倍。
该产品预计将于2018年底正式推出，制程工艺为55nm。 富士通将推出碳纳米管存储器 在纳米技术研究领域，碳纳米管（也称为富勒烯，简称CNT）是一种非常独特的材料，直径仅为人类头发丝的五万分之一。 ，可以导热和导电，比钢硬50倍。当我还是一名学生时，我经常听说各种基于碳纳米管的高科技，包括用于各种文物的电池。
在存储领域，碳纳米管还可以通过沉到硅基底部来实现0和1的变化，因此也可以存储芯片，而且是非易失性的，即使断电数据也不会被清除。已关闭。 NRAM存储的优点 与普通闪存相比，NRAM存储芯片有很多优点。读写速度是普通闪存的1000倍（Nanteo官网说是1000倍，图表是100倍）。
同时功耗更低，可靠性和耐用性更强，成本更低。 Nantero 这次与富士通合作。后者将把 NRAM 内存集成到自己的芯片中。
预计2018年底推出，制程工艺为55nm。 不过话虽如此，NRAM 仍然是一项新技术。 Nantero自2006年起就曾表示将生产碳纳米管存储器，但一直没有进展。
即使与富士通达成合作后，量产的NRAM芯片尺寸仍为256Gb（32MB）。容量还是太小，只适合一些嵌入式领域。