今年5月，苹果收购了初创公司Lux Vue Technology。
该公司的Micro LED显示技术未来有望应用于iWatch、Google Glass、微型投影仪等微型显示设备领域。
Micro LED技术是指集成在芯片上的高密度、小尺寸LED阵列。
就像 LED 显示屏一样，每个像素都可以独立寻址并驱动发光。
可以看作是户外LED显示屏的缩小版。
像素的距离从毫米级缩小到微米级。
与现有的DLP、LCoS、微机电系统扫描等微显示技术相比，由于MicroLED的自发光性和简单的光学系统，可以减少整个系统的体积、重量和成本。
同时，考虑到低功耗和快速响应的特点，台湾工业研究院开发了基于主动式LED微晶粒芯片技术的单色微显示和微投影模块。
主要应用针对谷歌眼镜等头戴式显示器。
单色Micro LED阵列已实现极高的DPI。
2016年，德克萨斯理工大学的团队发布了9.6mm×7.2mm面积的绿光主动寻址Micro LED阵列，像素间距为15微米，实现了VGA分辨率，远高于目前的手机显示屏。
全彩、良率、发光波长一致性是目前主要问题：单色Micro LED阵列可以通过倒装结构封装和驱动IC邦定实现，而RGB阵列需要批量重印红、蓝、绿颜色。
需要嵌入数十万颗LED芯片，这对LED芯片的光效率、波长一致性和良率提出了更高的要求。
同时，分仓成本也是阻碍量产的技术瓶颈。
MicroLED技术是指集成在芯片上的高密度、小尺寸LED阵列。
就像 LED 显示屏一样，每个像素都可以独立寻址并驱动发光。
它可以看作是户外LED显示屏的缩小版，像素之间的距离从毫米级到微米级。
德国亚琛工业大学的研究团队利用湿法刻蚀方法在AlGaInP LED外延片上成功制作出多个LED后，开始了国际上对Micro LED阵列的研究。
作为主动发光器件，Micro LED的突出优势在于其大分辨率潜力。
、亮度对比度高、成本低，采用半导体加工技术，MicroLED阵列的像素尺寸可控制在微米级，可应用于微型显示设备和数据传输通信光源。
2016年，香港大学的研究团队制作了集成光纤的micro-LED阵列，并在GaN LED外延片上设计了像素直径为20微米、像素间距为微米的阵列。
2016年，帝国大学研究团队将LED阵列应用于神经网络模拟刺激实验，利用GaN LED外延技术制作出像素直径为20微米、像素间距为50微米的64×64 LED阵列。
德克萨斯理工大学江教授团队于2016年发表了迄今为止密度最高的有源寻址MicroLED阵列芯片。
外延生长绿光LED后，将其蚀刻形成微阵列，然后进行倒装芯片封装并键合到驱动IC上。
像素间距为15微米，在mm*7.2mm的面积内实现9.6 VGA分辨率。
2016年，索尼在CES上展示了55英寸Crystal LED Display电视。
它的厚度仅为 0.63 毫米，由 10,000 个微型 LED 组成。
它将晶圆上的LED微晶封装成um像素单元，并使用真空吸嘴将其去除。
将单体转移到TFT驱动基板上。
2016年，台湾工业研究院推出主动式LED微晶芯片技术，在0.37英寸芯片上实现×分辨率。
现阶段工研院电光研究所的Micro-LED阵列投影模组光效可达到40lm/W。
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未来MicroLED的潜在应用领域主要是微型显示器件领域，如微型投影仪、头戴式显示器、平视显示器、可穿戴设备、Google Glass等。
与现有技术如DLP、LCoS、微机电系统扫描等。
由于Micro LED是自发光且光学系统简单，因此可以减小整个系统的尺寸、重量和成本，同时兼顾低功耗的特点和快速响应。