近日，据外媒报道，三星电子代工部门首席技术官Jung Ki-tae Jung在近期的一次论坛上宣布“我们计划将 BSPDN 应用于 1.4 nm 工艺”。
背面供电（BSPDN）技术是一项应用于先进半导体的创新技术，以更好地挖掘晶圆背面空间的潜力，但尚未在全球范围内实施。
这也是三星电子首次公开其BSPDN开发流程。
尽管半导体行业不再使用栅极长度和金属半节距来系统命名技术节点，但毫无疑问，当前的工艺技术也更加先进，数量也更小。
随着半导体工艺微缩路线不断推进，集成电路中电路之间的距离也在不断缩小，造成相互干扰。
BSPDN技术可以克服这个限制，因为我们可以使用晶圆在背面构建供电线路，将电路和电源空间分开。
不仅是三星电子，台积电、英特尔等厂商也在积极寻求技术突破，目前日本东京电子（TEL）和奥地利EV集团（EVG）正在提供BSPDN实施设备。
目前Intel的背面供电技术称为PowerVia，旨在降低功耗、提高效率和性能，而下一代Intel 20A将是Intel第一个采用PowerVia技术和RibbonFET全环绕栅晶体管的节点，预计Arrow Lake平台将于2024年上半年准备就绪，并用于未来量产（IT之家注：有延迟的可能），目前正在晶圆厂开始First Stepping。
此外，台积电还计划在2nm以下工艺中应用类似技术，目标预计在2026年实现。
三星电子的BSPDN技术计划在2027年应用于1.4nm工艺，但这可能会根据市场情况而推迟要求。
三星电子的一位消息人士表示：“采用背面供电技术的半导体的量产时间可能会根据客户的日程安排而改变。
”三星电子的目标是在 2025 年量产 2nm 工艺，领先于 1.4nm 工艺。
据称，三星目前正在对背面供电技术的应用进行客户需求调查。