文章 |半导体行业概述 对于 Kioxia 来说，今年是困难重重的一年。
继三家公司分拆消息传出后，其NAND工厂又检测到原材料污染问题。
2月初，铠侠发布声明称，其三重县四日市工厂和岩手县北上工厂，由于自有工厂制造过程中使用的材料受到污染，影响了3D NAND芯片的生产，并表示这将反映在第一季度。
从数量上来说。
关于其与 Kioxia 合资闪存制造工厂的生产状况，西部数据表示，西部数据目前对影响的评估是其闪存可用性至少减少了 6.5 EB（1 EB = 1024 TB）。
由于3D NAND闪存的生产周期较长，一般需要两到三个月，因此此次原材料问题造成的供应中断可能会在恢复生产后的几个月内产生影响。
原材料污染问题出现后，Trend Force预计今年第二季度闪存价格将上涨5%至10%，最终将影响基于SSD和NAND闪存的产品。
由于原材料污染原因不明，铠侠尚未对该问题的后果做出估计。
如果铠侠发布对其自身生产影响的精确估计，闪存价格可能会再次上涨。
英特尔的NAND Flash部门于2021年下半年被SK海力士收购。
收购后，SK海力士的NAND Flash份额可能会跃升至第二位。
在NAND Flash领域，铠侠和西部数据的市场份额均超过30%。
NAND Flash具有技术壁垒高、价格波动性强的特点。
2021年下半年以来，智能手机、电视等消费电子产品的出货量一直低于预期。
与此同时，包括存储卡和USB闪存驱动器在内的零售存储产品的需求也一直低迷。
咨询机构表示，2022年第一季度NAND Flash整体价格跌幅将收敛至8~13%，因供给而涨价已成为今年NAND的一个小插曲。
这里水深火热，但三星和SK海力士却稳步前进，同行的悲欢离合也不尽相同。
技术霸主之战中缺少了谁？本月初，三星电子计划在2022年底或2023年上半年推出超过200层的NAND闪存，并于明年上半年开始量产。
三星原计划于去年底量产176层NAND，但已推迟至今年第一季度。
与三星的NAND技术相比，美光稍微领先，已经开始量产176层NAND。
三星正在加速200层以上NAND闪存的量产，以夺回被美光夺走的技术领先地位。
三星将在128层单片存储器上叠加96层，推出224层NAND闪存。
与176层相比，224层NAND闪存的生产效率和数据传输速度将提高30%。
在技??术研发方面，SK海力士和美光也没有退缩。
在SK海力士2019年发布的技术路线图中，SK海力士计划在2020年实现176层??研发，并在2021年中完成量产出货。
果然，2020年12月，SK海力士推出了第一家报告其176层NAND研发成果的公司。
第三代4D NAND闪存达到业界最高水平，相比上一代128层产品，产能提升35%以上。
新产品的读取检索速度比上一代快20%，数据传输速度达到每秒1.6GB，增长33%。
回头看，其实际进展完全符合路线图规划。
此外，根据其路线图，SK海力士预计将在2030年推出800+层闪存，可轻松打造容量100-200TB的SSD硬盘。
2020年底，美光宣布可出货176层3D NAND芯片，与上一代96层3D NAND相比，产能增加近一倍。
在Computex 2021上，美光宣布将发布采用176层3D NAND的PCIe 4.0 SSD，以及更高性能的智能车载系统NAND芯片和更密集的DRAM内存。
美光此前还表示，将努力增加其在整个行业利润中的份额，而不是其在行业产出中的份额。
这意味着美光正在低调做事。
在技??术方面，尤其是堆叠能力方面，美光并不逊色。
回顾Kioxia和西部数据，NAND闪存最早由东芝在1987年提出。
虽然Kioxia在2016年就已经设想了200层以上的堆栈，但后来被美光等后来者率先开发。
2019年，铠侠和西部数据基于96层QLC的单晶容量实现了1.33TB的容量。
2020年初推出的第五代3D NAND技术采用112层堆叠BiCS5。
首批量产的是512GB TLC产品。
对于消费类产品，单个QLC Die的容量将达到1.33TB，新一代BiCS6尚未公开披露。
迷雾中的2022年产量三星半导体业务在2021年中期表现出色，超越英特尔成为全球第一。
然而，三星存储业务收入在2021年第四季度环比下降了7%，原因包括全球半导体供应链问题以及平均销售价格下降。
面对不确定的存储业务，三星在年报中表示，2022年第一季度将采取稳中求进的策略，通过优化产品组合、提高生产灵活性来规避风险。
NAND业务将提高生产灵活性，以最大限度地降低供应链中断的风险。
去年年底，SK海力士完成了第一阶段收购英特尔NAND闪存和SSD业务。
SK海力士设立美国子公司Solidigm。
该公司今年的 NAND 闪存销售额预计将比去年增加一倍左右。
面对今年第一季度DRAM价格下跌，SK海力士将减少DRAM出货量以确保利润，并增加NAND产量以抢占市场份额。
SK海力士预计2022财年NAND需求将同比增长约30%，到年底176层NAND产品将占公司产能的70%。
在铠侠和西部数据的NAND生产线受到污染后，美光向市场通报将提高NAND芯片合约价和现货价。
其中，合同价格上涨17%至18%，现货价格上涨25%以上。
预计3月份市场反应将较为明显。
西部数据与日本铠侠的合资工厂将影响两家公司2022年Q1和Q2全年产能分别达3.7%和1.7%。
产能增幅将从27.4%降至21.2%。
NAND产业增速将从今年的32.0%下调。
下降至30.0%。
事故发生后，西部数据首先通知客户立即提高旗下所有NAND闪存的价格。
预计到2023年中期，此次事故的影响将完全消除。
虽然西部数据和 Kioxia 的 NAND 闪存业务中断可能会被视为负面影响，但从历史上看，闪存生产中断（地震、停电等）对 NAND 闪存定价和相应股价产生了积极影响。
三星最近也出了大新闻。
本月早些时候，三星电子工会与公司管理层未能就2021年工资达成协议，工会将向韩国国家劳动关系委员会申请调解。
2月14日，韩国国家劳动关系委员会决定停止调解三星电子管理层与工会之间的工资谈判。
如果没有调解，三星可能会面临 53 年来首次大罢工的威胁。
多个事件重叠，需要几个月的时间才能弄清楚 2022 年 NAND 接下来会发生什么。