三星是全球最大的NAND闪存供应商，对其V-NAND的开发有着浓厚的兴趣（三星称为 3D NAND）。
宏伟的计划，本周三星分享了一些相关信息。
该公司证实，其第九代 V-NAND 闪存的生产有望超过 300 层，并称这将是业内层数最多的 3D NAND。
三星电子总裁兼内存部门负责人 Lee Jung-Bae 表示：“第九代 V-NAND 基于业界层数最多的双层结构，将于明年初开始量产。
” ，在博客文章中写道。
8月份有消息称三星正在开发超过300层的第九代V-NAND，并将继续使用三星在2020年首次使用的双层技术。
而三星现在表示其3D NAND将具有更有效的性能比其竞争对手的层数。
目前我们知道SK海力士的下一代3D NAND将有321层，因此三星的第九代V-NAND应该有更多层。
层数的增加将使三星能够提高其 3D NAND 设备的存储密度。
该公司预计未来的闪存类型不仅会增加存储密度，还会提高性能。
“三星还在致力于下一代价值创造技术，包括可以最大限度提高 V-NAND 输入/输出 (I/O) 速度的新结构。
”李政培说道。
目前尚不清楚三星的第九代 V-NAND 的性能如何，但据信该公司将在其即将推出的固态硬盘中使用该内存，很可能使用 PCIe Gen5 接口。
至于长期的技术创新，三星专注于最大限度地减少电池干扰、降低高度和最大限度地增加垂直层数，这将使其能够实现业界最小的电池尺寸。
这些创新将在推进三星 3D NAND 愿景（拥有超过 1,000 层和高度差异化的内存解决方案）方面发挥关键作用。