图片来源：界面新闻|范建雷 近年来，存储芯片行业的市场动态发生了不小的变化。
三星电子公司曾经是该领域无可争议的领导者，但现在却落后于规模较小的竞争对手 SK 海力士。
两家公司之间日益扩大的差距从何而来？ 01. 努力成为 CXL 游戏规则改变者 造成这一差距的一个主要因素是投资者对 SK 海力士作为潜在人工智能 (AI) 领导者的信心增强。
公司一直积极拓展在人工智能行业的布局，吸引了各领域的巨额投资。
SK 海力士的尖端研发工作和战略合作伙伴关系体现了对推进人工智能技术的坚定承诺。
由于对其高带宽内存 (HBM) 芯片的高需求，该公司股价今年飙升了 67%。
另一方面，三星股价仅上涨了 24%，相对微薄。
业内人士分析，为了在存储芯片领域有效竞争，三星需要重新思考其战略，确保其创新与行业的快速进步保持一致。
CXL市场的竞争核心是DRAM。
三星和SK海力士分别是全球第一和第二大内存制造商。
他们自然不会错过CXL的“新蓝海”。
他们目前正在积极开发 CXL 技术，以增加服务器 DRAM 的销量。
CXL内存模块理论上可以实现服务器中“无限”的DRA??M扩展，还可以统一不同信息处理设备的直接通信协议，简化数据处理，减少数据瓶颈，提高能源效率，解决现有计算机面临的问题。
标准中DRAM的物理可扩展性问题。
三星于 2021 年 5 月开发出业界首款基于 CXL 的 DRAM 技术，引领下一代内存的商业化。
经过两年的开发，三星宣布计划开始量产基于 CXL 的 128GB DRAM。
三星最近在 HBM 芯片开发方面落后于 SK 海力士。
他们表示，为了避免重蹈 CXL 开发的覆辙，这家科技巨头似乎正在积极寻求主导市场。
将积极利用 CXL 内存模块 (CMM) 等新接口，这将有助于内存带宽和容量根据操作需求无缝扩展。
今年5月，三星发布了首款支持Compute Express Link (CXL) 2.0的128GB DRAM。
与此同时，三星与英特尔密切合作，在英特尔至强平台上取得了里程碑式的进展。
“作为 CXL 联盟的董事会成员，三星电子一直处于 CXL 技术的前沿，”三星电子新业务规划副总裁 Jangseok Choi 表示。
“这一突破性的发展强化了我们通过与一流服务器和芯片公司合作来支持全球数据中心、企业和组织的承诺，以进一步扩大 CXL 生态系统。
” CXL 2.0是三星首款支持内存池（Pooling）的产品。
内存池是一种内存管理技术，它将服务器平台上的多个CXL内存块绑定在一起形成内存池，允许多个主机根据需要从池中动态分配内存。
这项新技术使客户能够尽可能地降低成本并提高效率，从而帮助企业将有限的资源重新投入到增强服务器内存上。
三星电子计划在今年年底前开始量产这款最新的CXL 2.0 DRAM，并准备推出多种容量的产品，以满足快速变化的下一代计算市场，并进一步加速CXL生态系统的扩展。
CXL 是下一代内存可扩展设备，可提高高性能服务器系统中与 CPU 一起使用的加速器、DRAM 和存储设备的效率。
由于与主存储器（主DRAM）一起使用时可以扩展带宽和容量，因此该技术的进步预计将大大增加人工智能（AI）和机器学习等核心技术对高速数据处理的需求（毫升）。
第一代计算市场正在引起轰动。
今年10月中旬，SK海力士与数据处理平台公司HazelCast合作发布了Compute Express Link（CXL）技术应用白皮书。
SK海力士公布的实证结果表明，通过使用下一代CXL内存，数据处理能力可提高40%以上。
通过扩展CXL内存的带宽，SK海力士将系统处理速率提高了40%，超过了仅使用DRAM的系统。
此外，延迟时间也缩短了 30-50%。
这说明同时使用CXL内存可以节省DRAM的高成本。
传统上，不同的设备有不同的连接方法。
然而，CXL 统一了多个接口，允许直接设备连接和共享内存。
这不仅扩展了内存容量和性能，还解决了与数据处理延迟和速度减慢相关的问题。
2022年8月，SK海力士率先开发出基于DDR5 DRAM的CXL内存样品。
5月，在美国内华达州拉斯维加斯举办的戴尔科技世界（DTW）2023 IT展会上，也展示了真实服务器中的CXL内存。
CXL内存市场尚未完全成熟，因为尚未推出能够利用CXL内存的CPU。
不过，英特尔预计将在明年上半年发布其首款商用服务器CPU，名为Sierra Forest。
此前，三星电子和 SK 海力士计划在今年晚些时候生产下一代 CXL 2.0 内存。
这场战争仍在继续。
02.闪存技术：层数竞争。
2023年8月9日，SK海力士宣布，通过发布321层4D NAND样品，正式成为业内首家开发出300层以上NAND闪存的公司。
SK海力士在美国加州圣克拉拉举行的“2023闪存峰会”上公布了321层1Tb TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND闪存的开发进展，并展示了目前开发的样品。
作为业内首家公布300层以上NAND具体开发进展的公司，SK海力士宣布将进一步完善321层NAND闪存，并计划于2025年上半年开始量产。
SK海力士负责人表示：基于目前量产的最先进238层NAND积累的技术经验，公司正在有序进行321层NAND的研发。
321层1Tb TLC NAND的效率比上一代238层512Gb提高了59%。
这是因为数据存储单元可以通过更多的单片堆叠得更高，从而在同一芯片上实现更大的存储容量，从而增加每单位晶圆生产的芯片数量。
SK海力士此前在公告中表示，已开始量产238层4D NAND闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。
SK海力士强调：“基于238层NAND闪存，公司已成功开发出适用于智能手机和PC的客户端SSD（Client SSD）解决方案产品，并已于5月份开始量产。
公司拥有176层甚至238层层产品在成本、性能、质量等方面保证了全球顶尖竞争力，预计这些产品将对公司下半年业绩提升起到引领作用。
”据介绍，238层NAND闪存作为全球最小的芯片，生产效率较上一代的176层提升了34%。
该产品的数据传输速度为每秒2.4Gb，据称比上一代快50%，读写性能提升约20%。
SK海力士表示，在完成智能手机客户公司验证后，计划首先向移动产品供应238层NAND闪存，然后将其应用范围扩大到PC固态硬盘（SSD）和数据中心级大容量基于关于PCIe 5.0固态硬盘产品等SK海力士2018年开发的96层NAND闪存引入了4D方法，采用电荷捕获技术（CTF，Charge Trap Flash）和PUC（Peri. Under Cell）技术。
与3D方法相比，4D架构号称具有单位面积更小、生产效率更高的优势。
据 DigiTimes 报道，三星准备明年开始生产第 9 代 V-NAND 技术产品，其层数将超过 300 层，并继续采用双栈架构。
所谓双堆栈架构，是指首先在300mm晶圆上生产3D NAND闪存堆栈，然后在原有基础上再构建另一个堆栈。
超过300层的第9代V-NAND技术将提高300mm晶圆生产的存储密度，使制造商能够生产成本更低的SSD，或者使具有相同存储密度和性能的SSD更便宜。
据了解，为了保证产量，三星可能会在第10代V-NAND技术上引入三堆栈架构，层数达到430层。
这意味着原材料使用量增加，每片3D NAND晶圆成本增加。
三星去年在“三星科技日 2022”上提出的长期愿景是到 2030 年将层数增加到 1000 层。
03 本来同根同源，三星和 SK 海力士看似不和，但实际上他们是“同一条绳子上的蚂蚱”，本质上是同根同源。
三星和SK海力士都高度依赖中国市场，大量芯片产能位于中国大陆。
三星和SK海力士均在中国无锡、青岛等地设有芯片工厂。
据相关统计，三星和SK海力士近一半的芯片产能都在中国大陆。
不仅如此，中国市场也是三星和SK海力士的最大市场。
主要海外市场之一。
然而，美国的“限制”却让三星和海力士苦不堪言。
三星和SK海力士对中国市场的出货量也受到限制。
例如，当美光科技被中国有关部门部分禁止时，三星和SK海力士则被美国要求不得扩大市场份额。
不久前，三星和SK海力士被列入拜登最终核查名单，并获得所谓的永久豁免。
其在中国大陆的工厂将能够从美国设备制造商获得设备，芯片出货限制也得到一定程度的放松。
这起事件不仅让人们认识到三星和SK海力士是绳子上的蚂蚱，更是应该共同努力摆脱外部障碍的最佳合作伙伴。
为了推动存储复苏，三星电子和SK海力士宣布将DRAM和NAND闪存芯片提价10%-20%。
为了减轻损失，供应商开始减少产能和投资，并减少供应量。
由此，供需关系逐渐改善，存储芯片的价格也出现了反弹迹象。