三星今日宣布，因应设备本地运行AI的需求，专门开发了LLW（Low Latency Wide IO）DRAM，其性能优于现有的LPDDR解决方案。
LLW DRAM 通过垂直集成存储器和逻辑电路来实现更高的效率和延迟。
三星半导体今天通过其官方 X 平台账户发布了有关 LLW DRAM 的介绍视频，适用于智能手机、笔记本电脑和 VR 耳机。
三星在今年早些时候的技术日上首次展示了 LLW DRAM，然后在内存技术日上再次展示了 LPDDR5X CAMM2 解决方案。
除此之外，视频还展示了一款集成 LLW DRAM 的手机，因此未来的 Galaxy 设备很可能会采用相同的解决方案，从而提高性能。
广告中显示的手机看起来确实与当前一代的三星设备非常相似，应该是即将推出的 Galaxy S24 系列。
三星也不是第一家实施 LLW 的公司。
苹果的 Vision Pro 耳机采用扇出晶圆级封装 (FOWLP) 将 R1 芯片与 LLW DRAM 封装在一起。