虽然Intel一再强调自家的xxnm工艺是最准确的，比如同名10nm，却比三星领先整整一代和台积电一样，但它并没有更快的方法。 今天，三星电子宣布了全新的11nm FinFET制造工艺“11LPP”（Low Power Plus），并确认未来7nm工艺将采用EUV极紫外光刻技术。 三星的11LPP工艺并不是全新的，而是14nm和10nm的融合。一方面，它采用10nm BEOL（后端工艺），可以大大减少芯片面积。
另一方面，它使用了14nm LPP工艺的一些元素。 三星于2016年10月投产10LPE（10nm Low Power Early），并准备很快投产10LPP（10nm Low Power Plus）。主要生产智能手机芯片，14nm工艺瞄准主流、低功耗、紧凑。型芯片。
下一步，三星还将增加14LPU和10LPU版本。 11LPP工艺将填补三星14nm和10nm之间的空白。据称，在相同晶体管数量和功耗下，相比14LPP工艺，性能提升15%，功耗降低10%。此外，晶体管密度也有所增加。
三星计划在2018年上半年将11LPP工艺投产。 未来三星还准备了9nm、8nm、7nm、6nm、5nm工艺。
7nm 7LPP版本将全面集成EUV极紫外光刻技术，并确认将于2018年下半年试产。 其他报道表明，在此之前，明年上半年，三星将首先在特定的产品上使用EUV 8LPP 流程的各层。 三星表示，自2014年以来，已使用EUV技术加工了近20万片晶圆，取得了丰硕成果。
例如256Mb SRAM的良率达到80%。