10月18日，三星电子宣布成功开发晶圆代工7纳米工艺（7mm，Low Power Plus），该工艺采用极紫外光刻（EUV、Extreme）紫外线）并已投入生产。
半导体加工的精细工艺是在晶圆上覆盖刻有电路的掩模，并使用特定的光源通过掩模将其投射到晶圆上，因此称为曝光工艺或光刻工艺。
由于晶圆尺寸的限制，半导体需要不断提高电路刻蚀的精度，以提高性能并降低能耗。
与10LPE相比，三星电子的7纳米工艺（7LPP）面积减少了40%，性能提升了20%，功耗降低了50%，掩模消耗降低了20%。
因此，7纳米工艺（7LPP）的客户可以减轻设计和成本的负担。
此外，三星电子首次将7LPP工艺应用于EUV技术晶圆代工，正式推动7纳米工艺商业化，为实现3纳米芯片级精细加工技术奠定基础。
随着半导体精细技术的发展，普遍采用多次曝光进行多重图案化，以实现更高清的电路成像。
然而，最近，晶圆尺寸开始降至10纳米以下，原有的ArF（氟氩）光刻工艺已达到极限。
三星宣布的极紫外光刻（EUV）技术的光源波长小于氟化氩（ArF）波长的四分之一。
适用于对半导体电路进行更高精度的成像。
它不仅可以减少复杂的多重成像过程，还可以确保半导体的高性能和生产力。
极紫外光刻（EUV）光源虽然可以解决现有工艺的限制，但其在量产中的实际应用需要开发新的生产设备并建设相应的基础设施。
三星电子早在2016年就开始研究极紫外光刻（EUV）技术，加强与设备公司和生态系统合作伙伴的合作和密切联系，致力于提高技术稳定性和保证产能。
同时，三星电子还自主开发了检测设备，提前识别掩模缺陷，确保极紫外光刻（EUV）曝光过程不受掩模影响。
由于极紫外光刻（EUV）曝光设备的体积和重量与现有工艺所需的设备相比显着增加，三星电子正在其华城工厂建设和开发一条高科技生产线，可容纳大量极紫外光刻设备。
紫外光刻（EUV）曝光设备。
计划于今年年底完工。
（华城工厂竣工后的效果图）三星电子晶圆代工事业部战略营销部部长兼副总裁裴永昌表示，极紫外光技术的商业化使用不仅可以改变传统的半导体制造方法，还为客户提供了多种好处，包括减少工艺步骤和提高成品率，从而大大缩短产品生产周期。
他表示，7纳米工艺（7LPP）不仅可以用于移动设备和HPC的生产，也有望成为数据中心、电气设备、5G、AI等更大领域的最佳选择。
ASML市场战略负责人Peter Jenkins表示，极紫外光刻（EUV）技术的商业化不仅对半导体行业具有重要意义，甚至可以给我们的日常生活带来巨大的改变。
可以与三星电子相比较。
我们很高兴领先企业共同创造了历史性成果。
三星电子的晶圆代工生态系统项目 SAFE（三星先进代工生态系统）已做好 7 纳米工艺 (7LPP) 生产的准备。
三星电子计划与世界各地的合作伙伴合作，提供设计和检查工具，以及各种IP和设计服务，以便客户能够充分利用三星电子精湛的工艺和生产基础设施。
三星电子还希望积极为客户提供采用极紫外光刻（EUV）技术的7纳米晶圆代工工艺，让客户减少设计上投入的成本和时间，开发高性能、低功耗、超小型器件尽快地。
尖端半导体产品。
此外，三星电子将于本月18日继美国、中国、韩国、日本之后，在德国慕尼黑举办晶圆代工论坛，为欧洲客户和合作伙伴发布尖端工艺开发计划，其中将详细介绍7项纳米技术。