三星在2023年内存技术日活动上推出了名为Shinebolt的HBM3E内存。
该公司的HBM3E内存是当前HBM3内存的升级版，为内存带宽和速度树立了新的基准。
它设计用于与服务器和高端计算中使用的高端处理器和 GPU 一起使用。
该公司还公布了有关 GDDR7 VRAM、LPDDR5X CAMM 内存和可移动 AutoSSD 开发的更多信息。
三星的 HBM3E 内存据称比美光和 SK Hynix 的类似芯片更快。
这家韩国公司的 Shinebolt HBM3E DRAM 内存旨在用于数据中心的 AI 模型训练和其他几种高性能应用。
它提供每个引脚 9.8Gbps 的数据传输速度，这意味着它可以达到高达 1.2TBps 的传输速率。
三星优化了其NCF（非导电薄膜）技术，以消除芯片层之间的间隙，从而提高导热性。
三星正在使用其第四代基于 EUV 的 10 纳米级 (14nm) 节点制造 24GBit HBM 存储芯片。
利用其8Hi和12Hi堆栈，该公司可以生产24GB和36GB容量，比HBM3内存容量高50%。
该公司宣传的最小带宽为 8Gbps/pin，提供单个 HBM3E 堆栈，最小带宽为 1TB/秒，最大带宽为 1.225TB/秒，高于其竞争对手美光和 SK 海力士。
该公司的 HBM3E 内存目前处于样品阶段，正在运送给客户进行测试，这些内存芯片将于 2024 年某个时候开始量产。
三星发布了有关 HBM4 内存开发的更多细节。
三星还透露，它将使用更先进的技术HBM4存储器的芯片制造和封装技术。
虽然 HBM4 规范尚未获得批准，但据透露，业界正在寻求使用更宽的（2,048 位）内存接口。
该公司希望使用FinFET晶体管代替平面晶体管来降低功耗。
这家韩国存储芯片制造商希望在封装中从微凸块接合转向无凸块（直接铜对铜）接合。
即使在逻辑芯片制造领域，该技术也相对较新，因此 HBM4 可能成本太高。