3月24日消息，Nexperia宣布推出首批80V和100V热插拔专用MOSFET（ASFET），采用紧凑型8x8mm LFPAK88封装，具有增强的安全工作区(SOA) 功能。
这些新型 ASFET 针对要求苛刻的热插拔和软启动应用进行了全面优化，工作温度为 175°C，适用于先进的电信和计算设备。
凭借数十年开发先进晶圆和封装解决方案的专业知识，Nexperia 推出 PSMN2R3-100SSE（100 V、2.3 m N 沟道 ASFET）作为其产品组合中的首选，采用紧凑的 8x8 mm 封装尺寸，结合了低 RDS（ on）和强大的线性模式（安全工作区）性能，以满足严格的热插拔应用要求。
此外，Nexperia 还发布了 80 V ASFET 产品 PSMN1R9-100SSE（80 V，1.9 mΩ），旨在响应计算服务器和其他环境条件允许 MOSFET 特性较低的工业应用中使用 48 V 电源轨的不断增长趋势。
VDS 击穿电压额定值。
在热插拔和软启动应用中，具有增强型 SOA 的 ASFET 在市场上越来越受欢迎。
当电容负载引入带电背板时，这些产品强大的线性模式性能对于有效、可靠地管理浪涌电流至关重要。
当 ASFET 完全导通时，低 RDS(on) 对于最大限度地减少 I2R 损耗也很重要。
除了更低的 RDS(on) 和更紧凑的封装尺寸之外，与前几代 D2PAK 封装相比，Nexperia 的第三代增强型 SOA 技术的 SOA 性能（电流为 50 V，1 ms）提高了 10%。
分别为33A和30A)。
Nexperia 的另一项创新是，用于热插拔的新型 ASFET 在 25°C 和 125°C 下具有完全的 SOA 特性。
数据表中提供了经过全面测试的高温 SOA 曲线，设计工程师无需执行热降额计算，并显着扩展了实际的高温 SOA 性能。
到目前为止，适合热插拔和计算应用的 ASFET 通常采用较大的 D2PAK 封装 (16x10 mm)。
LFPAK88 封装是 D2PAK 封装的理想替代品，空间节省效率高达 60%。
PSMN2R3-100SSE 的 RDS(on) 仅 2.3 mΩ，比现有器件至少低 40%。
LFPAK88 不仅将功率密度提高了 58 倍，而且还提供两倍的 ID（最大）额定电流以及超低的热阻和电阻。
该产品结合了 Nexperia 先进晶圆和铜夹封装技术的功能优势，包括更小的占地面积、更低的 RDS(on) 和改进的 SOA 性能。
Nexperia 还提供采用 5x6 mm LFPAK56E 封装的 25 V、30 V、80 V 和 100 V ASFET 系列，针对需要更小 PCB 占位面积的低功耗应用进行了优化。