据外媒报道，东芝存储器公司已开始对业界首款UFS 3.0闪存嵌入式设备进行采样。新产品线采用了该公司最先进的96层BiCS FLASH 3D闪存，提供三种容量：128GB、256GB和512GB。
据报道，东芝宣布推出业界首款采用超快通用闪存（UFS）3.0版技术的嵌入式闪存芯片。新的存储芯片针对智能手机、平板电脑和增强/虚拟现实系统。
东芝表示，新芯片采用了尖端的96层BiCS FLASH 3D闪存技术以及JEDEC标准11.5 x 13mm封装中的控制器。它符合JEDEC UFS 3.0和HS-GEAR4标准，其理论接口速度每通道高达100 MHz。每秒 11.6 吉比特。
通过两个通道，该芯片可以达到23.2Gbps（2.9GB/s）的峰值带宽。 东芝的 128GB 芯片现已提供样品，搭载该芯片的智能手机预计将于今年晚些时候上市。