3D NAND，即三维闪存技术。过去的内存芯片是扁平的，我们可以把它想象成“地面停车场”。
三维闪存芯片是三维的，更像是一个“三维停车场”。这意味着，在相同的“占地面积”下，三维芯片可以容纳更多的数据，达到惊人的1.33Tb。 长江存储科技有限公司近日宣布，最新128层QLC 3D NAND闪存研发成功。这也是全球首款128层QLC闪存。
目前，这款闪存已经在固态硬盘等终端存储产品中得到多家知名控制器公司的验证。 3D NAND是三维闪存技术。
“过去的存储芯片是扁平的，我们可以把它们想象成‘地面停车场’。三维闪存芯片是三维的，更像是“三维停车场”。这意味着，在相同的‘占地面积’下，三维芯片可以容纳更多的数据。”专家表示。
这个内存芯片虽然只有芝麻大小，但是却包含了很多东西。它有3665亿个“细胞”——存储单元。 QLC是继TLC之后三维闪存的全新技术形式，具有大容量、高密度的特点。 TLC的每个“存储单元”可以存储3bit数据，QLC的每个“单元”可以存储4bit数据。
这些“存储单元”加在一起，可以让芯片的存储容量达到惊人的1.33TB，相当于1362GB。 得益于“存储单元”的不断扩展，以及这些“单元”之间独特的Xtacking架构布局，本次发布的128层闪存芯片“X2-6070”拥有业界最高的存储密度、传输速度和单片Flash存储芯片容量。 2018年底，长江存储第一代32层三维闪存芯片量产。 2019年9月，首款基于Xtacking架构的64层三维闪存芯片量产。
随着独立Xtacking架构全面升级至2.0，三维闪存潜力进一步释放，128层QLC闪存芯片可以快速突破。 “从64层量产到128层研发成功，只用了7个月的时间，即使发生疫情，也没有阻止我们的研发。
”长江存储CEO杨士宁表示，作为“闪存行业的新进入者”，长江存储在短短三年内将中国三维存储芯片推向了128层的新高度。 “这是数千名研发人员智慧的结晶，是全产业链上下游协作的结果。
” 闪存和固态硬盘领域的市场研究公司认为，QLC技术降低了NAND??闪存每字节的成本，使其更适合作为大容量存储介质。128层QLC闪存将率先在大容量U盘、闪存卡和固态硬盘中普及，广泛应用于AI计算、机器学习、实时分析等读取密集型应用和大数据。